GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 404.39 грн |
| 10+ | 348.18 грн |
| 25+ | 333.03 грн |
| 100+ | 292.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 49A, Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GD30MPS06H за ціною від 250.21 грн до 455.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD30MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| GD30MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 417.73 грн |
| 10+ | 348.54 грн |
| 30+ | 283.34 грн |
| 120+ | 272.77 грн |
| 270+ | 264.31 грн |
| 510+ | 255.15 грн |
| 2520+ | 250.21 грн |
| GD30MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 455.00 грн |
| 10+ | 364.81 грн |