GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 452.60 грн |
| 10+ | 377.64 грн |
| 30+ | 307.00 грн |
| 120+ | 295.54 грн |
| 270+ | 286.38 грн |
| 510+ | 276.45 грн |
| 2520+ | 271.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD30MPS06H за ціною від 355.43 грн до 575.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD30MPS06H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD30MPS06H | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GD30MPS06H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GD30MPS06H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|