GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 367.50 грн |
| 5+ | 332.00 грн |
| 25+ | 321.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263-7, Current - Average Rectified (Io): 51A, Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GD30MPS06J за ціною від 342.85 грн до 540.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263-7 Current - Average Rectified (Io): 51A Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 504.33 грн |
| 10+ | 434.97 грн |
| 25+ | 416.36 грн |
| 100+ | 370.79 грн |
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 540.93 грн |
| 10+ | 477.80 грн |
| 25+ | 398.02 грн |
| 100+ | 371.48 грн |
| 250+ | 355.42 грн |
| 500+ | 344.25 грн |
| 1000+ | 342.85 грн |