GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 351.84 грн |
| 5+ | 317.00 грн |
| 25+ | 311.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 7 Pins, Produktpalette: MPS Gen IV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GD30MPS06J за ціною від 373.61 грн до 601.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD30MPS06J | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.168kA Max. off-state voltage: 650V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 7 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|