GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 360.84 грн |
| 5+ | 325.99 грн |
| 25+ | 316.08 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 7 Pins, Produktpalette: MPS Gen IV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції GD30MPS06J за ціною від 359.08 грн до 566.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 7 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 495.19 грн |
| 10+ | 427.08 грн |
| 25+ | 408.81 грн |
| 100+ | 364.07 грн |
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.53 грн |
| 10+ | 500.41 грн |
| 25+ | 416.86 грн |
| 100+ | 389.07 грн |
| 250+ | 372.24 грн |
| 500+ | 360.54 грн |
| 1000+ | 359.08 грн |
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)