GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 55A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 719.25 грн |
| 10+ | 622.24 грн |
| 25+ | 596.33 грн |
| 100+ | 525.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 55A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GD30MPS12H за ціною від 479.74 грн до 753.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD30MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|