GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 668.90 грн |
| 10+ | 578.67 грн |
| 25+ | 554.58 грн |
| 100+ | 488.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 55A, Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GD30MPS12H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GD30MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GD30MPS12H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)