GD35PJY120F2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD35PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 63A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3774.81 грн |
| 5+ | 3743.43 грн |
| 10+ | 3712.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD35PJY120F2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 63 A, 1.7 V, 225 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 63A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225W, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції GD35PJY120F2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD35PJY120F2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD35PJY120F2S IGBT modules |
товар відсутній |
||
| GD35PJY120F2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Case: F2.0 Collector current: 35A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Technology: Advanced Trench FS IGBT Type of module: IGBT Max. off-state voltage: 1200V |
товар відсутній |