GD35PJY120L3S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 301W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 70A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3538.93 грн |
| 5+ | 3327.99 грн |
| 10+ | 3094.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD35PJY120L3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 301W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 70A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD35PJY120L3S за ціною від 3344.91 грн до 4080.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD35PJY120L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Mechanical mounting: screw Collector current: 35A Pulsed collector current: 70A Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: L3.0 Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: Press-in PCB Type of semiconductor module: IGBT |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|