GD35PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2870.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD35PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 70A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 301W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD35PJY120L3S за ціною від 3366.58 грн до 3819.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD35PJY120L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 35A Case: L3.0 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GD35PJY120L3S | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD35PJY120L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 70 A, 1.7 V, 301 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 70A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 301W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|