GD3600SGX170C4S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD3600SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 3.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 3.6kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 3.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 68915.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD3600SGX170C4S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD3600SGX170C4S - IGBT-Modul, Einfach, 3.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 3.6kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 3.6kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD3600SGX170C4S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD3600SGX170C4S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD3600SGX170C4S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 |
товару немає в наявності |