GD400SGY120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6368.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD400SGY120C2S STARPOWER
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: single transistor, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 400A, Pulsed collector current: 800A, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: C2 62mm, Semiconductor structure: single transistor, кількість в упаковці: 12 шт.
Інші пропозиції GD400SGY120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD400SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of semiconductor module: IGBT Topology: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD400SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of semiconductor module: IGBT Topology: single transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |