GD400SGY120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5608.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD400SGY120C2S STARPOWER
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Topology: single transistor, Max. off-state voltage: 1200V, Collector current: 400A, Case: C2 62mm, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 800A, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 12 шт.
Інші пропозиції GD400SGY120C2S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
GD400SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1200V Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||
GD400SGY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1200V Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |