GD400SGY120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD400SGY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65, Verlustleistung Pd: 2.083, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Einfach, DC-Kollektorstrom: 630, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD400SGY120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD400SGY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD400SGY120C2S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.