Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > GD40PIY120C5S
GD40PIY120C5S

GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3896.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 72, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 280, Verlustleistung: 280, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: PIM, DC-Kollektorstrom: 72, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції GD40PIY120C5S за ціною від 4286.53 грн до 4676.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD40PIY120C5S GD40PIY120C5S Виробник : STARPOWER Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 72
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 280
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM
DC-Kollektorstrom: 72
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4346.77 грн
5+4286.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD40PIY120C5S GD40PIY120C5S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: C5 45mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4676.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.