GD450HFY120C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 680
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.173
Verlustleistung: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD450HFY120C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2, Dauer-Kollektorstrom: 680, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 2.173, Verlustleistung: 2.173, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 680, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції GD450HFY120C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD450HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Topology: IGBT half-bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 900A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD450HFY120C6S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 900A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.