GD50FSX65L2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 89A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2551.9 грн |
| 5+ | 2424.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50FSX65L2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FSX65L2S - IGBT-Modul, Sechserpack, 89 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 89A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 258W, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції GD50FSX65L2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50FSX65L2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1 Case: L2.1 Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| GD50FSX65L2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 650V; Ic: 50A; L2.1 Case: L2.1 Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |