GD50FSY120L3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FSY120L3S - IGBT-Modul, Sechserpack, 100 A, 1.7 V, 380 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 380W
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100A
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4902.15 грн |
| 5+ | 4657.51 грн |
| 10+ | 4314.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50FSY120L3S STARPOWER
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: L3.2, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 100A, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, кількість в упаковці: 16 шт.
Інші пропозиції GD50FSY120L3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50FSY120L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: L3.2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 16 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD50FSY120L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: L3.2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |