на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1025.45 грн |
| 120+ | 993.31 грн |
| 270+ | 963.93 грн |
| 510+ | 917.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50MPS12H GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 162nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GD50MPS12H за ціною від 828.47 грн до 1579.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD50MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Diode Schottky 1.2KV 86A |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD50MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD50MPS12H | Виробник : GENESIC |
Description: GENESIC - GD50MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 86 A, 162 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 162nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 86A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GD50MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD50MPS12H | Виробник : Navitas Semiconductor |
GD50MPS12H |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
GD50MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| GD50MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| GD50MPS12H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |