GD50PIX65C5S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 148W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 72A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 72A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5225.13 грн |
| 5+ | 4933.34 грн |
| 10+ | 4605.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50PIX65C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50PIX65C5S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 72 A, 1.45 V, 148 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 148W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 72A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 72A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD50PIX65C5S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50PIX65C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Case: C5 45mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD50PIX65C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Case: C5 45mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |