GD50PJX65L3S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 91A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 264W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3893.11 грн |
| 5+ | 3792.74 грн |
| 10+ | 3602.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50PJX65L3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50PJX65L3S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 91 A, 1.45 V, 264 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 91A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 264W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD50PJX65L3S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50PJX65L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Case: L3.0 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD50PJX65L3S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Case: L3.0 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |