GD5F2GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited


DS-00819-GD5F2GM7RE-Rev1.2.pdf
Виробник: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Description: LINEAR IC
Write Cycle Time - Word, Page: 600µs
Supplier Device Package: 8-WSON (6x8)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 104 MHz
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Memory Organization: 512M x 4
Access Time: 9 ns
Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD5F2GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Description: LINEAR IC, Write Cycle Time - Word, Page: 600µs, Supplier Device Package: 8-WSON (6x8), Memory Format: FLASH, Clock Frequency: 104 MHz, Technology: FLASH - NAND (SLC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 2Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Packaging: Tray, Memory Organization: 512M x 4, Access Time: 9 ns, Memory Interface: SPI - Quad I/O, DTR.

Інші пропозиції GD5F2GM7REYIGY

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GD5F2GM7REYIGY GigaDevice gd5f2gm7uexxg_datasheet_rev1_1_20221013-3081721.pdf NAND Flash
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD5F2GM7REYIGY gd5f2gm7uexxg_datasheet_rev1_1_20221013-3081721.pdf
Виробник: GigaDevice
NAND Flash
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.