GD600HFX170C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.069 kA, 1.85 V, 4.166 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.069kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 4.166kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.166kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.069kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD600HFX170C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD600HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.069 kA, 1.85 V, 4.166 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 1.069kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 4.166kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.166kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1.069kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції GD600HFX170C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD600HFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 600A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.2kA Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD600HFX170C6S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 600A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.