GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 787.06 грн |
| 10+ | 681.50 грн |
| 25+ | 653.65 грн |
| 100+ | 576.25 грн |
| 250+ | 552.15 грн |
| 500+ | 534.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 82A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD60MPS06H за ціною від 609.88 грн до 916.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD60MPS06H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|