GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 829.76 грн |
| 10+ | 736.72 грн |
| 30+ | 613.99 грн |
| 120+ | 576.03 грн |
| 270+ | 552.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 82A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GD60MPS06H за ціною від 575.15 грн до 917.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD60MPS06H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 82A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|