GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 82A
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 761.26 грн |
| 10+ | 659.17 грн |
| 25+ | 632.23 грн |
| 100+ | 557.36 грн |
| 250+ | 534.06 грн |
| 500+ | 517.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD60MPS06H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 82A, Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GD60MPS06H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GD60MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GD60MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)