GD80TLQ120F1S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 110A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD80TLQ120F1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 110A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD80TLQ120F1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD80TLQ120F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 80A Case: F1.2 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. |
| GD80TLQ120F1S |
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: F1.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; F1.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Case: F1.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.