Продукція > STARPOWER > GD80TLQ120F1S
GD80TLQ120F1S

GD80TLQ120F1S STARPOWER


3789523.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 110A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5514.18 грн
5+5206.05 грн
10+4859.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD80TLQ120F1S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD80TLQ120F1S - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 110 A, 1.95 V, 450 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 110A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції GD80TLQ120F1S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD80TLQ120F1S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR GD80TLQ120F1S IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.