GD900HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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Технічний опис GD900HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 5.24, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Anzahl der Pins: 10, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 1.522, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD900HFY120P1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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GD900HFY120P1S | STARPOWER |
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 5.24 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.522 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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| GD900HFY120P1S |
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 5.24
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 10
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IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.522
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