GE08MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 20nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 124.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE08MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 20nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Gen V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції GE08MPS06E за ціною від 110.65 грн до 191.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GE08MPS06E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GE08MPS06E | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE08MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 21 A, 20 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 20nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 21A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GE08MPS06E | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE08MPS06E SMD Schottky diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| GE08MPS06E | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 21A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товар відсутній |