GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.85 грн |
| 10+ | 219.65 грн |
| 25+ | 208.78 грн |
| 100+ | 181.48 грн |
| 250+ | 172.46 грн |
| 500+ | 165.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE10MPS06A GeneSiC Semiconductor
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: MPS, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.25V, Max. forward impulse current: 44A, Kind of package: tube.
Інші пропозиції GE10MPS06A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GE10MPS06A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
 SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
|
 |
GE10MPS06A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |