GE2X10MPS06D GENESIC
Виробник: GENESIC
Description: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 471.12 грн |
| 5+ | 433.07 грн |
| 10+ | 395.83 грн |
| 50+ | 344.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE2X10MPS06D GENESIC
Description: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції GE2X10MPS06D за ціною від 322.63 грн до 492.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
