GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 474.34 грн |
| 10+ | 418.43 грн |
| 30+ | 347.83 грн |
| 120+ | 324.46 грн |
| 270+ | 310.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE2X10MPS06D GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Obsolete, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Інші пропозиції GE2X10MPS06D за ціною від 325.46 грн до 553.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 GE2X10MPS06D THT Schottky diodes |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||
 |
GE2X10MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товар відсутній |