GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. forward impulse current: 36A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: common cathode; double
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 336.15 грн |
| 3+ | 297.31 грн |
| 10+ | 266.84 грн |
| 30+ | 249.54 грн |
| 60+ | 240.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC), Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GE2X8MPS06D за ціною від 326.73 грн до 399.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GE2X8MPS06D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 399.49 грн |
| 10+ | 342.30 грн |
| 25+ | 326.73 грн |
| GE2X8MPS06D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)