GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 428.74 грн |
| 10+ | 367.36 грн |
| 25+ | 350.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Інші пропозиції GE2X8MPS06D за ціною від 295.54 грн до 478.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GE2X8MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GE2X8MPS06D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| GE2X8MPS06D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |