GE2X8MPS06D

GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03 Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.13 грн
3+256.35 грн
10+251.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube, Semiconductor structure: common cathode; double, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: MPS, Mounting: THT, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Case: TO247-3, Max. forward voltage: 1.25V, Load current: 8A x2, Max. load current: 16A, Max. forward impulse current: 36A, Max. off-state voltage: 650V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції GE2X8MPS06D за ціною від 300.44 грн до 486.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB87B5F7D2B0E420C7&compId=GE2X8MPS06D.pdf?ci_sign=d66b91dcf83eef08485d0063aca1ea9d1b133d03 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.96 грн
3+319.45 грн
10+301.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D Виробник : GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D.pdf Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.85 грн
10+373.45 грн
25+356.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06D GE2X8MPS06D Виробник : GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D-2449361.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+486.37 грн
10+426.75 грн
30+354.01 грн
120+329.94 грн
270+314.41 грн
510+303.54 грн
1020+300.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06D Виробник : GeneSiC Semiconductor ge2x8mps06d.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.