GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 341.85 грн |
| 3+ | 302.47 грн |
| 10+ | 271.73 грн |
| 30+ | 253.44 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GE2X8MPS06D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC), Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V.
Інші пропозиції GE2X8MPS06D за ціною від 329.66 грн до 403.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GE2X8MPS06D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 403.07 грн |
| 10+ | 345.37 грн |
| 25+ | 329.66 грн |
| GE2X8MPS06D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)