GF1KHE3_A/H

GF1KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division


gf1x.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+21.85 грн
3000+19.08 грн
4500+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GF1KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції GF1KHE3_A/H за ціною від 17.78 грн до 69.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GF1KHE3_A/H GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.99 грн
10+41.85 грн
100+31.04 грн
500+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GF1KHE3_A/H GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor gf1x.pdf Rectifiers 800V 30Amp AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.45 грн
10+48.03 грн
100+28.94 грн
500+24.19 грн
1000+21.20 грн
9000+18.90 грн
24000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 800V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+32.73 грн
3000+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 800V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+69.55 грн
6000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
GF1KHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 800V 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.