Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > GF1MHE3_A/H
GF1MHE3_A/H

GF1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

gf1x.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+24.54 грн
3000+21.67 грн
4500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GF1MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції GF1MHE3_A/H за ціною від 25.83 грн до 89.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GF1MHE3_A/H GF1MHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division gf1x.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.83 грн
10+54.12 грн
100+35.51 грн
500+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GF1MHE3_A/H Виробник : Vishay gf1x.pdf Diode Switching 1KV 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-214BA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1MHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor gf1x.pdf Rectifiers 1A,1000V,STD,SMD.SUPERECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GF1MHE3-A/H Виробник : Vishay Rectifiers 1A 1000V STD SMD SUPERECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.