GHXS015A120S-D3 SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS015A120S-D3 SemiQ
Description: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SOT-227, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GHXS015A120S-D3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
GHXS015A120S-D3 | SemiQ |
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GHXS015A120S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



