Продукція > SEMIQ > GHXS020A060S-D3
GHXS020A060S-D3

GHXS020A060S-D3 SemiQ


GHXS020A060S_D3-1915589.pdf Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2734.53 грн
10+2051.63 грн
20+1750.19 грн
50+1737.68 грн
100+1583.19 грн
200+1530.95 грн
500+1503.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS020A060S-D3 SemiQ

Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V.

Інші пропозиції GHXS020A060S-D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GHXS020A060S-D3 GHXS020A060S-D3 Виробник : SemiQ GHXS020A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 600V 20A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.