GHXS030A060S-D1E SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4256.62 грн |
10+ | 3726.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS030A060S-D1E SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 30 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GHXS030A060S-D1E за ціною від 3002.7 грн до 4623.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GHXS030A060S-D1E | Виробник : SemiQ | Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|