Продукція > SEMIQ > GHXS030A060S-D3
GHXS030A060S-D3

GHXS030A060S-D3 SemiQ


GHXS030A060S_D3-1916863.pdf Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1931.11 грн
10+ 1690.84 грн
20+ 1372.54 грн
50+ 1329.61 грн
100+ 1286.01 грн
200+ 1200.81 грн
500+ 1104.37 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS030A060S-D3 SemiQ

Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.

Інші пропозиції GHXS030A060S-D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GHXS030A060S-D3 GHXS030A060S-D3 Виробник : SemiQ GHXS030A060S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній