GHXS030A120S-D1E SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS030A120S-D1E SemiQ
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide Schottky, Supplier Device Package: SOT-227, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV, Current - Average Rectified (Io): 30 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GHXS030A120S-D1E за ціною від 6220.09 грн до 8254.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GHXS030A120S-D1E | SemiQ |
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GHXS030A120S-D1E |
|
Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8254.21 грн |
| 10+ | 7715.62 грн |
| 30+ | 6608.44 грн |
| 100+ | 6339.91 грн |
| 250+ | 6220.09 грн |