
GHXS045A120S-D3 SemiQ
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7740.97 грн |
10+ | 7236.98 грн |
30+ | 6120.87 грн |
100+ | 5855.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS045A120S-D3 SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GHXS045A120S-D3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
GHXS045A120S-D3 | Виробник : SemiQ |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |