Продукція > SEMIQ > GHXS045A120S-D3
GHXS045A120S-D3

GHXS045A120S-D3 SemiQ


GHXS045A120S_D3-1916832.pdf Виробник: SemiQ
Discrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7740.97 грн
10+7236.98 грн
30+6120.87 грн
100+5855.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS045A120S-D3 SemiQ

Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції GHXS045A120S-D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GHXS045A120S-D3 GHXS045A120S-D3 Виробник : SemiQ GHXS045A120S-D3.pdf Description: DIODE MOD SIC 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.