на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3051.06 грн |
| 20+ | 2029.12 грн |
| 50+ | 1708.81 грн |
| 100+ | 1653.90 грн |
| 200+ | 1543.34 грн |
| 500+ | 1418.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS050A060S-D3 SemiQ
Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GHXS050A060S-D3 за ціною від 4145.99 грн до 4145.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GHXS050A060S-D3 | Виробник : SemiQ |
 Description: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|