GHXS050A170S-D3 SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12420.33 грн |
| 10+ | 11201.91 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS050A170S-D3 SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1700V 150A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GHXS050A170S-D3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GHXS050A170S-D3 | SemiQ |
 Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GHXS050A170S-D3 |
|
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
Diode Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)