GHXS050B170S-D3 SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2797.43 грн |
| 10+ | 2006.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS050B170S-D3 SemiQ
Description: 1700V, 50A SIC DUAL DIODE MODULE, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1.7 kV, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 50 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: SOT-227, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 110A, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GHXS050B170S-D3 за ціною від 1970.23 грн до 3052.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GHXS050B170S-D3 | SemiQ |
Diode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GHXS050B170S-D3 |
![]() |
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
Diode Modules SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3052.46 грн |
| 10+ | 2557.13 грн |
| 100+ | 1970.23 грн |



