Продукція > SEMIQ > GHXS100B065S-D3

GHXS100B065S-D3 SemiQ


GHXS100B065S-D3.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2640.42 грн
10+1888.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS100B065S-D3 SemiQ

Description: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V.

Інші пропозиції GHXS100B065S-D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S-D3 SemiQ GHXS100B065S_D3.pdf Diode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GHXS100B065S-D3 GHXS100B065S_D3.pdf
Виробник: SemiQ
Diode Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.