Продукція > SEMIQ > GHXS100B170S-D3
GHXS100B170S-D3

GHXS100B170S-D3 SemiQ


GHXS100B170S-D3_rev0.2.pdf Виробник: SemiQ
Description: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4144.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GHXS100B170S-D3 SemiQ

Description: 1700V, 100A SIC DUAL DIODE MODUL, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 214A, Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1.7 kV.

Інші пропозиції GHXS100B170S-D3 за ціною від 3298.92 грн до 4877.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GHXS100B170S-D3 GHXS100B170S-D3 Виробник : SemiQ GHXS100B170S_D3-3476211.pdf Diode Modules SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4877.93 грн
10+4115.32 грн
100+3299.66 грн
250+3298.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.