GI754-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 6A P600
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: P600
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 35.11 грн |
| 1600+ | 27.54 грн |
| 2400+ | 25.92 грн |
| 5600+ | 23.17 грн |
| 20000+ | 22.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GI754-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - GI754-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 6 A, Einfach, 1.25 V, 2.5 µs, 400 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: P600, Durchlassstoßstrom: 400A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 2.5µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції GI754-E3/54 за ціною від 25.98 грн до 74.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GI754-E3/54 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - GI754-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 6 A, Einfach, 1.25 V, 2.5 µs, 400 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: P600 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GI754-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 400V 6A P600 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: P600, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: P600 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 25879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GI754-E3/54 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - GI754-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 6 A, Einfach, 1.25 V, 2.5 µs, 400 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: P600 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GI754-E3/54 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 6.0 Amp 400 Volt |
на замовлення 14043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GI754-E3/54 | Виробник : VISHAY |
GI754-E3/54 THT universal diodes |
товару немає в наявності |