GL41G-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


bym10-xxx.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GL41G-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V.

Інші пропозиції GL41G-E3/97 за ціною від 8.72 грн до 41.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GL41G-E3/97 GL41G-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 7355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
11+29.18 грн
100+20.25 грн
500+14.84 грн
1000+12.06 грн
2000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/97 GL41G-E3/97 Vishay General Semiconductor bym10-xxx.pdf Rectifiers 1 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM
на замовлення 18275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.60 грн
13+26.20 грн
100+18.50 грн
500+14.07 грн
1000+11.46 грн
5000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/97 bym10-xxx.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 7355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+35.60 грн
11+29.18 грн
100+20.25 грн
500+14.84 грн
1000+12.06 грн
2000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GL41G-E3/97 bym10-xxx.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1 Amp 400 Volt 30 Amp IFSM
на замовлення 18275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.60 грн
13+26.20 грн
100+18.50 грн
500+14.07 грн
1000+11.46 грн
5000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.