Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > GL41M-E3/97
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

bym10-xxx.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GL41M-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції GL41M-E3/97 за ціною від 8.72 грн до 40.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GL41M-E3/97 GL41M-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
11+29.18 грн
100+20.25 грн
500+14.84 грн
1000+12.06 грн
2000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/97 GL41M-E3/97 Vishay General Semiconductor bym10-xxx.pdf Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.94 грн
13+26.20 грн
100+18.43 грн
500+14.07 грн
1000+11.46 грн
5000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/97 bym10-xxx.pdf
GL41M-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.60 грн
11+29.18 грн
100+20.25 грн
500+14.84 грн
1000+12.06 грн
2000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GL41M-E3/97 bym10-xxx.pdf
GL41M-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM
на замовлення 11470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.94 грн
13+26.20 грн
100+18.43 грн
500+14.07 грн
1000+11.46 грн
5000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.