Продукція > ROHM > GNP1070TC-ZE2
GNP1070TC-ZE2

GNP1070TC-ZE2 ROHM

gnp1070tc-z-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+594.20 грн
50+531.07 грн
100+389.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GNP1070TC-ZE2 ROHM

Description: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA, Supplier Device Package: DFN8080K, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V, Vgs (Max): +6V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GNP1070TC-ZE2 за ціною від 325.17 грн до 1462.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GNP1070TC-ZE2 GNP1070TC-ZE2 Виробник : ROHM gnp1070tc-z-e.pdf Description: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+693.24 грн
5+643.72 грн
10+594.20 грн
50+531.07 грн
100+389.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 GNP1070TC-ZE2 Виробник : ROHM Semiconductor gnp1070tc-z-e.pdf GaN FETs NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+781.05 грн
10+577.00 грн
100+374.46 грн
500+337.68 грн
3500+325.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 GNP1070TC-ZE2 Виробник : Rohm Semiconductor gnp1070tc-z-e.pdf Description: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.06 грн
10+531.61 грн
100+399.87 грн
500+366.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 Виробник : Rohm Semiconductor gnp1070tc-z-e.pdf Trans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1183.09 грн
25+1128.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 Виробник : Rohm Semiconductor gnp1070tc-z-e.pdf Trans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1462.29 грн
12+1088.94 грн
50+961.38 грн
100+849.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 GNP1070TC-ZE2 Виробник : Rohm Semiconductor gnp1070tc-z-e.pdf Description: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.