Продукція > ROHM > GNP1070TC-ZE2
GNP1070TC-ZE2

GNP1070TC-ZE2 ROHM

gnp1070tc-z-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+445.38 грн
50+391.88 грн
100+341.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GNP1070TC-ZE2 ROHM

Description: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +6V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN8080K, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції GNP1070TC-ZE2 за ціною від 305.13 грн до 768.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GNP1070TC-ZE2 GNP1070TC-ZE2 ROHM gnp1070tc-z-e.pdf Description: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.03 грн
5+568.61 грн
10+445.38 грн
50+391.88 грн
100+341.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 GNP1070TC-ZE2 ROHM Semiconductor gnp1070tc-z-e.pdf GaN FETs NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.91 грн
10+541.43 грн
100+351.38 грн
500+316.87 грн
3500+305.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor gnp1070tc-z-e.pdf Description: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8080K
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.09 грн
10+518.80 грн
100+390.23 грн
500+357.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 gnp1070tc-z-e.pdf
GNP1070TC-ZE2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+691.03 грн
5+568.61 грн
10+445.38 грн
50+391.88 грн
100+341.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 gnp1070tc-z-e.pdf
GNP1070TC-ZE2
Виробник: ROHM Semiconductor
GaN FETs NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+732.91 грн
10+541.43 грн
100+351.38 грн
500+316.87 грн
3500+305.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2 gnp1070tc-z-e.pdf
GNP1070TC-ZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8080K
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+768.09 грн
10+518.80 грн
100+390.23 грн
500+357.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.