GNP2070TD-ZTR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 791.48 грн |
| 50+ | 692.65 грн |
| 100+ | 599.62 грн |
| 250+ | 587.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GNP2070TD-ZTR ROHM
Description: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V, Power Dissipation (Max): 159W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA, Supplier Device Package: TOLL-8N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V, Vgs (Max): +6.5V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GNP2070TD-ZTR за ціною від 483.64 грн до 971.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GNP2070TD-ZTR | Виробник : ROHM Semiconductor |
GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
GNP2070TD-ZTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V Power Dissipation (Max): 159W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA Supplier Device Package: TOLL-8N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V Vgs (Max): +6.5V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GNP2070TD-ZTR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.2nC Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GNP2070TD-ZTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V Power Dissipation (Max): 159W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA Supplier Device Package: TOLL-8N Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V Vgs (Max): +6.5V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |