Продукція > ROHM > GNP2070TD-ZTR

GNP2070TD-ZTR ROHM


gnp2070td-z-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+702.31 грн
50+614.75 грн
100+532.25 грн
250+521.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GNP2070TD-ZTR ROHM

Description: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V, Power Dissipation (Max): 159W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA, Supplier Device Package: TOLL-8N, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V, Vgs (Max): +6.5V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GNP2070TD-ZTR за ціною від 478.85 грн до 882.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GNP2070TD-ZTR GNP2070TD-ZTR ROHM gnp2070td-z-e.pdf Description: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.58 грн
5+782.85 грн
10+702.31 грн
50+614.75 грн
100+532.25 грн
250+521.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTR GNP2070TD-ZTR ROHM Semiconductor gnp2070td-z-e.pdf GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.58 грн
10+692.27 грн
100+532.25 грн
500+531.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTR GNP2070TD-ZTR Rohm Semiconductor gnp2070td-z-e.pdf Description: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.26 грн
10+592.01 грн
100+478.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTR gnp2070td-z-e.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+862.58 грн
5+782.85 грн
10+702.31 грн
50+614.75 грн
100+532.25 грн
250+521.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTR gnp2070td-z-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
GaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+862.58 грн
10+692.27 грн
100+532.25 грн
500+531.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTR gnp2070td-z-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+882.26 грн
10+592.01 грн
100+478.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.