GNP2130TEC-ZE2 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 349.54 грн |
| 100+ | 264.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GNP2130TEC-ZE2 ROHM
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN8080CK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm.
Інші пропозиції GNP2130TEC-ZE2 за ціною від 193.30 грн до 552.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GNP2130TEC-ZE2 | ROHM |
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 2.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN8080CK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GNP2130TEC-ZE2 | ROHM Semiconductor | GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GNP2130TEC-ZE2 |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 517.07 грн |
| 10+ | 349.54 грн |
| 100+ | 264.98 грн |
| GNP2130TEC-ZE2 |
Виробник: ROHM Semiconductor
GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 552.50 грн |
| 10+ | 369.16 грн |
| 100+ | 234.72 грн |
| 500+ | 227.12 грн |
| 1000+ | 208.48 грн |
| 3500+ | 193.30 грн |


