Продукція > SHARP > GP1S51V

GP1S51V SHARP

GP1S50%2C54_51V%2C52V.pdf
Виробник: SHARP
04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GP1S51V SHARP

Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT, Packaging: Bulk, Package / Case: PCB Mount, Sensing Distance: 0.118" (3mm), Sensing Method: Through-Beam, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -25°C ~ 85°C, Output Configuration: Phototransistor, Response Time: 3µs, 4µs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA.

Інші пропозиції GP1S51V

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GP1S51V Sharp Microelectronics GP1S50%2C54_51V%2C52V.pdf Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
Packaging: Bulk
Package / Case: PCB Mount
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Sensing Method: Through-Beam
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Phototransistor
Response Time: 3µs, 4µs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP1S51V GP1S50%2C54_51V%2C52V.pdf
Виробник: Sharp Microelectronics
Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
Packaging: Bulk
Package / Case: PCB Mount
Sensing Distance: 0.118" (3mm)
Sensing Method: Through-Beam
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Phototransistor
Response Time: 3µs, 4µs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.