на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 911.88 грн |
| 10+ | 770.57 грн |
| 30+ | 606.94 грн |
| 120+ | 557.77 грн |
| 270+ | 524.01 грн |
| 510+ | 491.72 грн |
| 1020+ | 442.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP2T080A120H SemiQ
Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GP2T080A120H за ціною від 779.24 грн до 880.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GP2T080A120H | Виробник : SemiQ |
 Description: SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4LPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 1000 V |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|