на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.42 грн |
| 10+ | 390.77 грн |
| 120+ | 273.01 грн |
| 270+ | 258.34 грн |
| 510+ | 246.59 грн |
| 1020+ | 228.98 грн |
| 2520+ | 223.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D010A120B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GP3D010A120B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D010A120B | Виробник : SemiQ |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 608pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |