Продукція > SEMIQ > GP3D010A170B
GP3D010A170B

GP3D010A170B SemiQ

GP3D010A170B-2140984.pdf
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+664.46 грн
10+402.63 грн
120+348.71 грн
270+306.08 грн
2520+305.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GP3D010A170B SemiQ

Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 39A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V.

Інші пропозиції GP3D010A170B за ціною від 398.26 грн до 672.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP3D010A170B GP3D010A170B Виробник : SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.18 грн
30+398.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B Виробник : SemiQ GP3D010A170B.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky 1700V 103nC 10A Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.