GP3D010A170B SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 39A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 600.76 грн |
| 30+ | 336.86 грн |
| 120+ | 283.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D010A170B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1700V 39A TO2472, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 39A, Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції GP3D010A170B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D010A170B | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GP3D010A170B |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)