Продукція > SEMIQ > GP3D010A170B

GP3D010A170B SemiQ


GP3D010A170B.pdf
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky 1700V 103nC 10A
на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+463.78 грн
10+260.19 грн
120+187.48 грн
510+160.00 грн
1020+149.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GP3D010A170B SemiQ

Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 39A, Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції GP3D010A170B за ціною від 401.68 грн до 677.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP3D010A170B GP3D010A170B SemiQ GP3D010A170B.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.95 грн
30+401.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D010A170B GP3D010A170B.pdf
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 39A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 39A
Capacitance @ Vr, F: 699pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+677.95 грн
30+401.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.