| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 587.68 грн |
| 10+ | 497.10 грн |
| 100+ | 359.41 грн |
| 250+ | 351.78 грн |
| 500+ | 317.78 грн |
| 1000+ | 267.82 грн |
| 5000+ | 264.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D015A120A SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GP3D015A120A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D015A120A | Виробник : SemiQ |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 962pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |