Продукція > SEMIQ > GP3D020A065A
GP3D020A065A

GP3D020A065A SemiQ

GP3D020A065A-1916731.pdf
Виробник: SemiQ
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-220
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+380.72 грн
100+273.97 грн
250+231.18 грн
500+225.54 грн
1000+210.74 грн
2500+205.81 грн
5000+202.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GP3D020A065A SemiQ

Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 20A, Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції GP3D020A065A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GP3D020A065A GP3D020A065A SemiQ GP3D020A065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GP3D020A065A GP3D020A065A.pdf
GP3D020A065A
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.