| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 395.04 грн |
| 100+ | 284.27 грн |
| 250+ | 239.87 грн |
| 500+ | 234.02 грн |
| 1000+ | 218.67 грн |
| 2500+ | 213.55 грн |
| 5000+ | 209.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D020A065A SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GP3D020A065A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D020A065A | SemiQ |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| GP3D020A065A |
|
Виробник: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.