на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.43 грн |
| 100+ | 285.27 грн |
| 250+ | 240.72 грн |
| 500+ | 234.85 грн |
| 1000+ | 219.44 грн |
| 2500+ | 214.30 грн |
| 5000+ | 210.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D020A065A SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GP3D020A065A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D020A065A | Виробник : SemiQ |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1247pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |