GP3D024A065U SemiQ
Виробник: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D024A065U SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C.
Інші пропозиції GP3D024A065U
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D024A065U | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GP3D024A065U |
|
Виробник: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.