GP3D024A065U SemiQ
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 508.60 грн |
| 10+ | 454.07 грн |
| 120+ | 344.94 грн |
| 270+ | 336.86 грн |
| 510+ | 315.58 грн |
| 1020+ | 289.89 грн |
| 2520+ | 281.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3D024A065U SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Інші пропозиції GP3D024A065U
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D024A065U | Виробник : SemiQ |
 Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |