| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 543.16 грн |
| 10+ | 365.44 грн |
| 120+ | 232.44 грн |
| 510+ | 207.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3T040A120H SemiQ
Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 246W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GP3T040A120H за ціною від 363.95 грн до 556.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3T040A120H | Виробник : SemiQ |
 Description: GEN3 1200V, 40M SIC MOSFET, TO-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2803 pF @ 1000 V |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|